NPN transistor STN851, 5A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 60V

NPN transistor STN851, 5A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 60V

Antal
Enhedspris
1-4
4.57kr
5-49
3.69kr
50-99
3.21kr
100-499
2.93kr
500+
2.48kr
Antal på lager: 967

NPN transistor STN851, 5A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 60V. Kollektorstrøm: 5A. Hus: SOT-223 ( TO-226 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-223. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Antal terminaler: 3. BE-diode: ingen. CE-diode: ingen. Driftstemperatur: -65...+150°C. FT: 130 MHz. Funktion: Lavspændingshurtigt skiftende NPN-effekttransistor. Halvledermateriale: silicium. Ic (puls): 10A. Konditionering: rulle. Konditioneringsenhed: 1000. Max hFE-forstærkning: 350. Minimum hFE-forstærkning: 30. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Mætningsspænding VCE (sat): 0.32V. Omkostninger): 215pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1.6W. RoHS: ja. Type transistor: NPN. Vcbo: 150V. Vebo: 7V. Originalt produkt fra producenten: Stmicroelectronics. Antal på lager opdateret den 13/11/2025, 15:24

STN851
26 parametre
Kollektorstrøm
5A
Hus
SOT-223 ( TO-226 )
Hus (i henhold til datablad)
SOT-223
Kollektor/emitterspænding Vceo
60V
Antal terminaler
3
BE-diode
ingen
CE-diode
ingen
Driftstemperatur
-65...+150°C
FT
130 MHz
Funktion
Lavspændingshurtigt skiftende NPN-effekttransistor
Halvledermateriale
silicium
Ic (puls)
10A
Konditionering
rulle
Konditioneringsenhed
1000
Max hFE-forstærkning
350
Minimum hFE-forstærkning
30
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
1
Mætningsspænding VCE (sat)
0.32V
Omkostninger)
215pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
1.6W
RoHS
ja
Type transistor
NPN
Vcbo
150V
Vebo
7V
Originalt produkt fra producenten
Stmicroelectronics