P-kanal transistor 2SJ449, 6A, 100uA, TO-220FP, TO-220FP, 250V

P-kanal transistor 2SJ449, 6A, 100uA, TO-220FP, TO-220FP, 250V

Antal
Enhedspris
1-4
19.10kr
5-9
15.94kr
10-24
14.36kr
25-49
13.22kr
50+
11.91kr
Antal på lager: 3

P-kanal transistor 2SJ449, 6A, 100uA, TO-220FP, TO-220FP, 250V. ID (T=25°C): 6A. Idss (maks.): 100uA. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220FP. Spænding Vds (maks.): 250V. Afløbskildebeskyttelse: ja. Antal terminaler: 3. C (i): 1040pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: SWITCHING, POWER MOS FET. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. IDss (min): -. Id(imp): 24A. Kanaltype: P. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 360pF. On-resistance Rds On: 0.55 Ohms. Pd (Strømafledning, maks.) ): 35W. Port/kildespænding (fra) min.: 4 v. Td(fra): 47 ns. Td(on): 24 ns. Teknologi: P-CHANNEL POWER MOS FET. Type transistor: MOSFET. Originalt produkt fra producenten: Nec. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45

Teknisk dokumentation (PDF)
2SJ449
25 parametre
ID (T=25°C)
6A
Idss (maks.)
100uA
Hus
TO-220FP
Hus (i henhold til datablad)
TO-220FP
Spænding Vds (maks.)
250V
Afløbskildebeskyttelse
ja
Antal terminaler
3
C (i)
1040pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
SWITCHING, POWER MOS FET
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
30 v
Id(imp)
24A
Kanaltype
P
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
360pF
On-resistance Rds On
0.55 Ohms
Pd (Strømafledning, maks.) )
35W
Port/kildespænding (fra) min.
4 v
Td(fra)
47 ns
Td(on)
24 ns
Teknologi
P-CHANNEL POWER MOS FET
Type transistor
MOSFET
Originalt produkt fra producenten
Nec