P-kanal transistor 2SJ512, 5A, 5A, TO-220FP, TO-220FP, 250V. ID (T=25°C): 5A. Idss (maks.): 5A. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220FP. Spænding Vds (maks.): 250V. Afløbskildebeskyttelse: diode. Antal terminaler: 3. C (i): 800pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Forbedringstilstand lav drænkilde ved modstand. GS-beskyttelse: ja. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Id(imp): 20A. Kanaltype: P. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 250pF. On-resistance Rds On: 1 Ohm. Pd (Strømafledning, maks.) ): 30W. Td(fra): 70 ns. Td(on): 35 ns. Teknologi: Silicon P Chanel Mos Fet. Trr-diode (min.): 205 ns. Type transistor: MOSFET. Originalt produkt fra producenten: Toshiba. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45