P-kanal transistor 2SJ584, 4.5A, 100uA, TO-220FP, TO-220FP, 250V

P-kanal transistor 2SJ584, 4.5A, 100uA, TO-220FP, TO-220FP, 250V

Antal
Enhedspris
1-4
14.24kr
5-24
11.77kr
25-49
9.94kr
50+
8.99kr
Antal på lager: 101

P-kanal transistor 2SJ584, 4.5A, 100uA, TO-220FP, TO-220FP, 250V. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (maks.): 100uA. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220FP. Spænding Vds (maks.): 250V. Afløbskildebeskyttelse: diode. Antal terminaler: 3. C (i): 450pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Ultrahigh-Speed Switching, IDP 18App/10us. GS-beskyttelse: ja. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Id(imp): 18A. Kanaltype: P. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 120pF. On-resistance Rds On: 0.95 Ohms. Pd (Strømafledning, maks.) ): 25W. Td(fra): 52 ns. Td(on): 30 ns. Teknologi: silicium MOSFET transistor. Type transistor: MOSFET. Originalt produkt fra producenten: Sanyo. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45

Teknisk dokumentation (PDF)
2SJ584
24 parametre
ID (T=25°C)
4.5A
Idss (maks.)
100uA
Hus
TO-220FP
Hus (i henhold til datablad)
TO-220FP
Spænding Vds (maks.)
250V
Afløbskildebeskyttelse
diode
Antal terminaler
3
C (i)
450pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
Ultrahigh-Speed Switching, IDP 18App/10us
GS-beskyttelse
ja
Gate / kilde spænding Vgs
30 v
Id(imp)
18A
Kanaltype
P
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
120pF
On-resistance Rds On
0.95 Ohms
Pd (Strømafledning, maks.) )
25W
Td(fra)
52 ns
Td(on)
30 ns
Teknologi
silicium MOSFET transistor
Type transistor
MOSFET
Originalt produkt fra producenten
Sanyo