P-kanal transistor AO3401A, SOT-23 ( TO-236 ), 4.3A, 5uA, SOT-23 ( TO236 ), 30 v

P-kanal transistor AO3401A, SOT-23 ( TO-236 ), 4.3A, 5uA, SOT-23 ( TO236 ), 30 v

Antal
Enhedspris
1-4
3.23kr
5-49
2.65kr
50-99
2.29kr
100-199
2.06kr
200+
1.74kr
+50 ekstra varer tilgængelige på lager (leveres inden for 4 timer). Kontakt os for priser og tilgængelighed!
Antal på lager: 211

P-kanal transistor AO3401A, SOT-23 ( TO-236 ), 4.3A, 5uA, SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). ID (T=25°C): 4.3A. Idss (maks.): 5uA. Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO236 ). Spænding Vds (maks.): 30 v. : Forbedret. Afløbskildebeskyttelse: ja. Antal terminaler: 3. C (i): 933pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Drænkildespænding: -30V. Effekt: 1.4W. Funktion: Lavt inputladning. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 12V. Gate-source spænding: ±12V. ID (T=100°C): 3.8A. IDss (min): 1uA. Id(imp): 25A. Kanaltype: P. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 108pF. On-resistance Rds On: 0.036 Ohms. Oplade: 7nC. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1.4W. Polaritet: unipolar. RoHS: ja. Spec info: Driftsgatespænding så lav som 2,5V. Td(fra): 42 ns. Td(on): 5.2 ns. Teknologi: Enhancement Mode Field Effect Transistor. Temperatur: +150°C. Trr-diode (min.): 21 ns. Type transistor: MOSFET. Tøm strøm: -4A. Vgs (th) maks.: 1.3V. Vgs (th) min.: 0.6V. Originalt produkt fra producenten: Alpha & Omega Semiconductors. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45

Teknisk dokumentation (PDF)
AO3401A
39 parametre
Hus
SOT-23 ( TO-236 )
ID (T=25°C)
4.3A
Idss (maks.)
5uA
Hus (i henhold til datablad)
SOT-23 ( TO236 )
Spænding Vds (maks.)
30 v
Forbedret
Afløbskildebeskyttelse
ja
Antal terminaler
3
C (i)
933pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Drænkildespænding
-30V
Effekt
1.4W
Funktion
Lavt inputladning
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
12V
Gate-source spænding
±12V
ID (T=100°C)
3.8A
IDss (min)
1uA
Id(imp)
25A
Kanaltype
P
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
108pF
On-resistance Rds On
0.036 Ohms
Oplade
7nC
Pd (Strømafledning, maks.) )
1.4W
Polaritet
unipolar
RoHS
ja
Spec info
Driftsgatespænding så lav som 2,5V
Td(fra)
42 ns
Td(on)
5.2 ns
Teknologi
Enhancement Mode Field Effect Transistor
Temperatur
+150°C
Trr-diode (min.)
21 ns
Type transistor
MOSFET
Tøm strøm
-4A
Vgs (th) maks.
1.3V
Vgs (th) min.
0.6V
Originalt produkt fra producenten
Alpha & Omega Semiconductors