P-kanal transistor, 9.2A, 50uA, SO, SO-8, 30 v - AO4407A

P-kanal transistor, 9.2A, 50uA, SO, SO-8, 30 v - AO4407A. P-kanal transistor, 9.2A, 50uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 9.2A. Idss (maks.): 50uA. Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8. Spænding Vds (maks.): 30 v. C (i): 2060pF. Omkostninger): 370pF. Kanaltype: P. Trr-diode (min.): 30 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 60A. ID (T=100°C): 7.4A. IDss (min): 10uA. Antal terminaler: 8:1. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1.7W. On-resistance Rds On: 0.0085 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 24 ns. Td(on): 11 ns. Teknologi: Enhancement Mode Field Effect Transistor . Driftstemperatur: -55...+150°C. Gate / kilde spænding Vgs: 25V. Vgs (th) maks.: 3V. Vgs (th) min.: 1.7V. Mængde pr tilfælde: 1. bemærk: serigrafi/SMD-kode 4407A. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS. Antal på lager opdateret den 20/04/2025, 00:25.