P-kanal transistor AO4407A, SO, 9.2A, 50uA, SO-8, 30 v

P-kanal transistor AO4407A, SO, 9.2A, 50uA, SO-8, 30 v

Antal
Enhedspris
1-4
4.64kr
5-24
3.84kr
25-49
3.27kr
50-99
2.99kr
100+
2.49kr
+50 ekstra varer tilgængelige på lager (leveres inden for 4 timer). Kontakt os for priser og tilgængelighed!
Antal på lager: 193

P-kanal transistor AO4407A, SO, 9.2A, 50uA, SO-8, 30 v. Hus: SO. ID (T=25°C): 9.2A. Idss (maks.): 50uA. Hus (i henhold til datablad): SO-8. Spænding Vds (maks.): 30 v. Afløbskildebeskyttelse: ja. Antal output: 1. Antal terminaler: 8:1. Bemærk: serigrafi/SMD-kode 4407A. C (i): 2060pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Drænkildespænding: -30V. Effekt: 2W. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 25V. Gate-source spænding: ±25V. ID (T=100°C): 7.4A. IDss (min): 10uA. Id(imp): 60A. Kanaltype: P. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 370pF. On-resistance Rds On: 0.0085 Ohms. Oplade: 30nC. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1.7W. Polaritet: unipolar. RoHS: ja. Td(fra): 24 ns. Td(on): 11 ns. Teknologi: Enhancement Mode Field Effect Transistor. Trr-diode (min.): 30 ns. Type transistor: MOSFET. Tøm strøm: -12A, -10A. Vgs (th) maks.: 3V. Vgs (th) min.: 1.7V. Originalt produkt fra producenten: Alpha & Omega Semiconductors. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45

Teknisk dokumentation (PDF)
AO4407A
37 parametre
Hus
SO
ID (T=25°C)
9.2A
Idss (maks.)
50uA
Hus (i henhold til datablad)
SO-8
Spænding Vds (maks.)
30 v
Afløbskildebeskyttelse
ja
Antal output
1
Antal terminaler
8:1
Bemærk
serigrafi/SMD-kode 4407A
C (i)
2060pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Drænkildespænding
-30V
Effekt
2W
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
25V
Gate-source spænding
±25V
ID (T=100°C)
7.4A
IDss (min)
10uA
Id(imp)
60A
Kanaltype
P
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
370pF
On-resistance Rds On
0.0085 Ohms
Oplade
30nC
Pd (Strømafledning, maks.) )
1.7W
Polaritet
unipolar
RoHS
ja
Td(fra)
24 ns
Td(on)
11 ns
Teknologi
Enhancement Mode Field Effect Transistor
Trr-diode (min.)
30 ns
Type transistor
MOSFET
Tøm strøm
-12A, -10A
Vgs (th) maks.
3V
Vgs (th) min.
1.7V
Originalt produkt fra producenten
Alpha & Omega Semiconductors