P-kanal transistor AO4427, 12.5A, 5uA, SO, SO-8, 30 v

P-kanal transistor AO4427, 12.5A, 5uA, SO, SO-8, 30 v

Antal
Enhedspris
1-4
7.07kr
5-49
5.61kr
50-99
4.74kr
100+
4.16kr
Antal på lager: 337

P-kanal transistor AO4427, 12.5A, 5uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 12.5A. Idss (maks.): 5uA. Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8. Spænding Vds (maks.): 30 v. Afløbskildebeskyttelse: diode. Antal terminaler: 8:1. C (i): 2330pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Switching eller PWM applikationer. GS-beskyttelse: ja. Gate / kilde spænding Vgs: 25V. ID (T=100°C): 10.5A. IDss (min): 1uA. Id(imp): 60A. Kanaltype: P. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 480pF. On-resistance Rds On: 0.0094 Ohms. Pd (Strømafledning, maks.) ): 3W. RoHS: ja. Td(fra): 49.5 ns. Td(on): 12.8 ns. Teknologi: Enhancement Mode Field Effect Transistor. Trr-diode (min.): 28 ns. Type transistor: FET. Vgs (th) maks.: 3V. Vgs (th) min.: 1.7V. Originalt produkt fra producenten: Alpha & Omega Semiconductors. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45

Teknisk dokumentation (PDF)
AO4427
30 parametre
ID (T=25°C)
12.5A
Idss (maks.)
5uA
Hus
SO
Hus (i henhold til datablad)
SO-8
Spænding Vds (maks.)
30 v
Afløbskildebeskyttelse
diode
Antal terminaler
8:1
C (i)
2330pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
Switching eller PWM applikationer
GS-beskyttelse
ja
Gate / kilde spænding Vgs
25V
ID (T=100°C)
10.5A
IDss (min)
1uA
Id(imp)
60A
Kanaltype
P
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
480pF
On-resistance Rds On
0.0094 Ohms
Pd (Strømafledning, maks.) )
3W
RoHS
ja
Td(fra)
49.5 ns
Td(on)
12.8 ns
Teknologi
Enhancement Mode Field Effect Transistor
Trr-diode (min.)
28 ns
Type transistor
FET
Vgs (th) maks.
3V
Vgs (th) min.
1.7V
Originalt produkt fra producenten
Alpha & Omega Semiconductors