P-kanal transistor AOD405, 18A, 5uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v

P-kanal transistor AOD405, 18A, 5uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v

Antal
Enhedspris
1-4
9.03kr
5-49
7.47kr
50-99
6.30kr
100+
5.54kr
Antal på lager: 164

P-kanal transistor AOD405, 18A, 5uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. ID (T=25°C): 18A. Idss (maks.): 5uA. Hus: D-PAK ( TO-252 ). Hus (i henhold til datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spænding Vds (maks.): 30 v. Afløbskildebeskyttelse: diode. Antal terminaler: 2. C (i): 920pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. ID (T=100°C): 18A. IDss (min): 0.003uA. Id(imp): 40A. Kanaltype: P. Konditionering: rulle. Konditioneringsenhed: 2500. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: D405. Omkostninger): 190pF. On-resistance Rds On: 24.5m Ohms. Pd (Strømafledning, maks.) ): 60W. RoHS: ja. Spec info: komplementær transistor (par) AOD408. Td(fra): 20 ns. Td(on): 9 ns. Teknologi: Enhancement Mode Field Effect Transistor. Trr-diode (min.): 21.4 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) min.: 1.2V. Originalt produkt fra producenten: Alpha & Omega Semiconductors. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45

Teknisk dokumentation (PDF)
AOD405
32 parametre
ID (T=25°C)
18A
Idss (maks.)
5uA
Hus
D-PAK ( TO-252 )
Hus (i henhold til datablad)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Spænding Vds (maks.)
30 v
Afløbskildebeskyttelse
diode
Antal terminaler
2
C (i)
920pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
20V
ID (T=100°C)
18A
IDss (min)
0.003uA
Id(imp)
40A
Kanaltype
P
Konditionering
rulle
Konditioneringsenhed
2500
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
1
Mærkning på kabinettet
D405
Omkostninger)
190pF
On-resistance Rds On
24.5m Ohms
Pd (Strømafledning, maks.) )
60W
RoHS
ja
Spec info
komplementær transistor (par) AOD408
Td(fra)
20 ns
Td(on)
9 ns
Teknologi
Enhancement Mode Field Effect Transistor
Trr-diode (min.)
21.4 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) min.
1.2V
Originalt produkt fra producenten
Alpha & Omega Semiconductors