P-kanal transistor AP9575AGH, 17A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V

P-kanal transistor AP9575AGH, 17A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V

Antal
Enhedspris
1-4
8.21kr
5-24
6.91kr
25-49
6.15kr
50-99
5.60kr
100+
4.80kr
Antal på lager: 24

P-kanal transistor AP9575AGH, 17A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. ID (T=25°C): 17A. Idss (maks.): 250uA. Hus: D-PAK ( TO-252 ). Hus (i henhold til datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spænding Vds (maks.): 60V. Afløbskildebeskyttelse: ja. Antal terminaler: 3. C (i): 1440pF. Driftstemperatur: -55°C...+150°C. Funktion: -. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. ID (T=100°C): 11A. IDss (min): 10uA. Id(imp): 60A. Kanaltype: P. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 160pF. On-resistance Rds On: 0.064 Ohms. Pd (Strømafledning, maks.) ): 36W. RoHS: ja. Td(fra): 45 ns. Td(on): 12 ns. Teknologi: Enhancement Mode Power MOSFET. Trr-diode (min.): 43 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 3V. Vgs (th) min.: 1V. Originalt produkt fra producenten: Advanced Power. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45

Teknisk dokumentation (PDF)
AP9575AGH
29 parametre
ID (T=25°C)
17A
Idss (maks.)
250uA
Hus
D-PAK ( TO-252 )
Hus (i henhold til datablad)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Spænding Vds (maks.)
60V
Afløbskildebeskyttelse
ja
Antal terminaler
3
C (i)
1440pF
Driftstemperatur
-55°C...+150°C
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
30 v
ID (T=100°C)
11A
IDss (min)
10uA
Id(imp)
60A
Kanaltype
P
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
160pF
On-resistance Rds On
0.064 Ohms
Pd (Strømafledning, maks.) )
36W
RoHS
ja
Td(fra)
45 ns
Td(on)
12 ns
Teknologi
Enhancement Mode Power MOSFET
Trr-diode (min.)
43 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
3V
Vgs (th) min.
1V
Originalt produkt fra producenten
Advanced Power