P-kanal transistor FDS4435A, 9A, 10uA, SO, SO-8, 30 v

P-kanal transistor FDS4435A, 9A, 10uA, SO, SO-8, 30 v

Antal
Enhedspris
1-4
8.92kr
5-49
7.37kr
50-99
6.22kr
100+
5.31kr
Antal på lager: 52

P-kanal transistor FDS4435A, 9A, 10uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 9A. Idss (maks.): 10uA. Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8. Spænding Vds (maks.): 30 v. Afløbskildebeskyttelse: ja. Antal terminaler: 8:1. C (i): 2010pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 50A. Kanaltype: P. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 590pF. On-resistance Rds On: 0.015 Ohms. Pd (Strømafledning, maks.) ): 2.5W. RoHS: ja. Td(fra): 100 ns. Td(on): 12 ns. Teknologi: P-kanal. Trr-diode (min.): 36ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 2V. Vgs (th) min.: 1V. Originalt produkt fra producenten: Fairchild. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45

Teknisk dokumentation (PDF)
FDS4435A
28 parametre
ID (T=25°C)
9A
Idss (maks.)
10uA
Hus
SO
Hus (i henhold til datablad)
SO-8
Spænding Vds (maks.)
30 v
Afløbskildebeskyttelse
ja
Antal terminaler
8:1
C (i)
2010pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
20V
IDss (min)
1uA
Id(imp)
50A
Kanaltype
P
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
590pF
On-resistance Rds On
0.015 Ohms
Pd (Strømafledning, maks.) )
2.5W
RoHS
ja
Td(fra)
100 ns
Td(on)
12 ns
Teknologi
P-kanal
Trr-diode (min.)
36ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
2V
Vgs (th) min.
1V
Originalt produkt fra producenten
Fairchild