P-kanal transistor FDS6679AZ, 13A, 1uA, SO, SO-8, 30 v

P-kanal transistor FDS6679AZ, 13A, 1uA, SO, SO-8, 30 v

Antal
Enhedspris
1-4
10.13kr
5-24
9.04kr
25-49
8.08kr
50-99
7.35kr
100+
6.30kr
Antal på lager: 11

P-kanal transistor FDS6679AZ, 13A, 1uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 13A. Idss (maks.): 1uA. Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8. Spænding Vds (maks.): 30 v. Afløbskildebeskyttelse: ja. Antal terminaler: 8:1. C (i): 2890pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. GS-beskyttelse: ja. Gate / kilde spænding Vgs: 25V. ID (T=100°C): n/a. IDss (min): n/a. Id(imp): 65A. Kanaltype: P. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 500pF. On-resistance Rds On: 7.7m Ohms. Pd (Strømafledning, maks.) ): 2.5W. RoHS: ja. Spec info: Zero Gate Voltage Drain Current. Td(fra): 210 ns. Td(on): 13 ns. Teknologi: PowerTrench MOSFET. Trr-diode (min.): 40 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 3V. Vgs (th) min.: 1V. Originalt produkt fra producenten: Fairchild. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45

Teknisk dokumentation (PDF)
FDS6679AZ
28 parametre
ID (T=25°C)
13A
Idss (maks.)
1uA
Hus
SO
Hus (i henhold til datablad)
SO-8
Spænding Vds (maks.)
30 v
Afløbskildebeskyttelse
ja
Antal terminaler
8:1
C (i)
2890pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
GS-beskyttelse
ja
Gate / kilde spænding Vgs
25V
Id(imp)
65A
Kanaltype
P
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
500pF
On-resistance Rds On
7.7m Ohms
Pd (Strømafledning, maks.) )
2.5W
RoHS
ja
Spec info
Zero Gate Voltage Drain Current
Td(fra)
210 ns
Td(on)
13 ns
Teknologi
PowerTrench MOSFET
Trr-diode (min.)
40 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
3V
Vgs (th) min.
1V
Originalt produkt fra producenten
Fairchild