P-kanal transistor FQB27P06TM, 27A, 10uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 60V

P-kanal transistor FQB27P06TM, 27A, 10uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 60V

Antal
Enhedspris
1-4
12.26kr
5-49
10.14kr
50-99
8.61kr
100+
7.79kr
Antal på lager: 98

P-kanal transistor FQB27P06TM, 27A, 10uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 60V. ID (T=25°C): 27A. Idss (maks.): 10uA. Hus: D2PAK ( TO-263 ). Hus (i henhold til datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spænding Vds (maks.): 60V. Afløbskildebeskyttelse: diode. Antal terminaler: 2. C (i): 1100pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: Højhastighedsskift. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 25V. ID (T=100°C): 19.1A. IDss (min): 1uA. Id(imp): 102A. Kanaltype: P. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 510pF. On-resistance Rds On: 0.055 Ohms. Pd (Strømafledning, maks.) ): 120W. RoHS: ja. Td(fra): 30 ns. Td(on): 18 ns. Teknologi: DMOS, QFET. Trr-diode (min.): 105 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) min.: 2V. Originalt produkt fra producenten: Fairchild. Antal på lager opdateret den 18/12/2025, 23:20

Teknisk dokumentation (PDF)
FQB27P06TM
29 parametre
ID (T=25°C)
27A
Idss (maks.)
10uA
Hus
D2PAK ( TO-263 )
Hus (i henhold til datablad)
D2PAK ( TO-263 )
Spænding Vds (maks.)
60V
Afløbskildebeskyttelse
diode
Antal terminaler
2
C (i)
1100pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Funktion
Højhastighedsskift
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
25V
ID (T=100°C)
19.1A
IDss (min)
1uA
Id(imp)
102A
Kanaltype
P
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
510pF
On-resistance Rds On
0.055 Ohms
Pd (Strømafledning, maks.) )
120W
RoHS
ja
Td(fra)
30 ns
Td(on)
18 ns
Teknologi
DMOS, QFET
Trr-diode (min.)
105 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) min.
2V
Originalt produkt fra producenten
Fairchild