P-kanal transistor FQU11P06, 9.4A, 10uA, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 60V

P-kanal transistor FQU11P06, 9.4A, 10uA, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 60V

Antal
Enhedspris
1-4
11.29kr
5-24
9.56kr
25-49
8.39kr
50-99
7.70kr
100+
6.70kr
Antal på lager: 33

P-kanal transistor FQU11P06, 9.4A, 10uA, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 60V. ID (T=25°C): 9.4A. Idss (maks.): 10uA. Hus: TO-251 ( I-Pak ). Hus (i henhold til datablad): TO-251AA ( I-PAK ). Spænding Vds (maks.): 60V. Afløbskildebeskyttelse: diode. Antal terminaler: 3. C (i): 420pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: QFET, Low gate charge (typ--13ns). GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. ID (T=100°C): 5.95A. IDss (min): 1uA. Id(imp): 37.6A. Kanaltype: P. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 195pF. On-resistance Rds On: 0.15 Ohms. Pd (Strømafledning, maks.) ): 38W. RoHS: ja. Spec info: Low Crss (typical 45pF), Fast switching. Td(fra): 45 ns. Td(on): 6.5 ns. Teknologi: DMOS POWER-MOSFET. Trr-diode (min.): 83 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) min.: 3V. Originalt produkt fra producenten: Fairchild. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45

Teknisk dokumentation (PDF)
FQU11P06
30 parametre
ID (T=25°C)
9.4A
Idss (maks.)
10uA
Hus
TO-251 ( I-Pak )
Hus (i henhold til datablad)
TO-251AA ( I-PAK )
Spænding Vds (maks.)
60V
Afløbskildebeskyttelse
diode
Antal terminaler
3
C (i)
420pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
QFET, Low gate charge (typ--13ns)
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
30 v
ID (T=100°C)
5.95A
IDss (min)
1uA
Id(imp)
37.6A
Kanaltype
P
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
195pF
On-resistance Rds On
0.15 Ohms
Pd (Strømafledning, maks.) )
38W
RoHS
ja
Spec info
Low Crss (typical 45pF), Fast switching
Td(fra)
45 ns
Td(on)
6.5 ns
Teknologi
DMOS POWER-MOSFET
Trr-diode (min.)
83 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) min.
3V
Originalt produkt fra producenten
Fairchild