P-kanal transistor IRF6215SPBF, 13A, 250uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 150V

P-kanal transistor IRF6215SPBF, 13A, 250uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 150V

Antal
Enhedspris
1-4
13.70kr
5-24
11.33kr
25-49
10.23kr
50+
9.26kr
Antal på lager: 33

P-kanal transistor IRF6215SPBF, 13A, 250uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 150V. ID (T=25°C): 13A. Idss (maks.): 250uA. Hus: D2PAK ( TO-263 ). Hus (i henhold til datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spænding Vds (maks.): 150V. Afløbskildebeskyttelse: ja. Antal terminaler: 2. C (i): 860pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: Højhastighedsskift. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. ID (T=100°C): 9A. IDss (min): 25uA. Id(imp): 44A. Kanaltype: P. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 220pF. On-resistance Rds On: 0.29 Ohms. Pd (Strømafledning, maks.) ): 110W. RoHS: ja. Td(fra): 53 ns. Td(on): 14 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 160 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Originalt produkt fra producenten: International Rectifier. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45

Teknisk dokumentation (PDF)
IRF6215SPBF
30 parametre
ID (T=25°C)
13A
Idss (maks.)
250uA
Hus
D2PAK ( TO-263 )
Hus (i henhold til datablad)
D2PAK ( TO-263 )
Spænding Vds (maks.)
150V
Afløbskildebeskyttelse
ja
Antal terminaler
2
C (i)
860pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Funktion
Højhastighedsskift
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
20V
ID (T=100°C)
9A
IDss (min)
25uA
Id(imp)
44A
Kanaltype
P
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
220pF
On-resistance Rds On
0.29 Ohms
Pd (Strømafledning, maks.) )
110W
RoHS
ja
Td(fra)
53 ns
Td(on)
14 ns
Teknologi
HEXFET Power MOSFET
Trr-diode (min.)
160 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
4 v
Vgs (th) min.
2V
Originalt produkt fra producenten
International Rectifier