P-kanal transistor IRF7204, SO8
Antal
Enhedspris
1-4
10.83kr
5-9
6.76kr
10-19
5.64kr
20-49
5.05kr
50+
4.62kr
| Antal på lager: 15 |
P-kanal transistor IRF7204, SO8. Hus: SO8. Drænkildespænding: -20V. Effekt: 2.5W. Gate-source spænding: 12V, ±12V. Montering / installation: SMD. Oplade: 25nC. Polaritet: unipolar. RoHS: ja. Teknologi: HEXFET®. Termisk modstand: 50K/W. Type transistor: P-MOSFET, HEXFET. Tøm strøm: -5.3A. Originalt produkt fra producenten: Infineon (irf). Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45
IRF7204
13 parametre
Hus
SO8
Drænkildespænding
-20V
Effekt
2.5W
Gate-source spænding
12V, ±12V
Montering / installation
SMD
Oplade
25nC
Polaritet
unipolar
RoHS
ja
Teknologi
HEXFET®
Termisk modstand
50K/W
Type transistor
P-MOSFET, HEXFET
Tøm strøm
-5.3A
Originalt produkt fra producenten
Infineon (irf)