P-kanal transistor IRF7205PBF, 4.6A, 5uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 4.6A. Idss (maks.): 5uA. Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8. Spænding Vds (maks.): 30 v. Afløbskildebeskyttelse: zener diode. Antal terminaler: 8:1. C (i): 870pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Højhastighedsskift. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. ID (T=100°C): 3.7A. IDss (min): 1uA. Id(imp): 15A. Kanaltype: P. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 720pF. On-resistance Rds On: 0.07 Ohms. Pd (Strømafledning, maks.) ): 2.5W. RoHS: ja. Td(fra): 97 ns. Td(on): 14 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 70 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 3V. Vgs (th) min.: 1V. Originalt produkt fra producenten: International Rectifier. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45