P-kanal transistor IRF7314, SO, SO-8
Antal
Enhedspris
1-4
7.01kr
5-49
5.56kr
50-94
4.67kr
95+
4.13kr
| +3 ekstra varer tilgængelige på lager (leveres inden for 4 timer). Kontakt os for priser og tilgængelighed! | |
| Antal på lager: 271 |
P-kanal transistor IRF7314, SO, SO-8. Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8. Antal terminaler: 8:1. Drænkildespænding: -20V. Effekt: 2W. Funktion: P-kanal MOSFET transistor. Gate-source spænding: 12V, ±12V. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 2. Oplade: 19nC. Polaritet: unipolar. RoHS: ja. Teknologi: HEXFET®. Termisk modstand: 62.5K/W. Tøm strøm: -5.3A. Originalt produkt fra producenten: International Rectifier. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45
IRF7314
16 parametre
Hus
SO
Hus (i henhold til datablad)
SO-8
Antal terminaler
8:1
Drænkildespænding
-20V
Effekt
2W
Funktion
P-kanal MOSFET transistor
Gate-source spænding
12V, ±12V
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
2
Oplade
19nC
Polaritet
unipolar
RoHS
ja
Teknologi
HEXFET®
Termisk modstand
62.5K/W
Tøm strøm
-5.3A
Originalt produkt fra producenten
International Rectifier