P-kanal transistor IRF7342, SO, SO-8
Antal
Enhedspris
1-4
9.52kr
5-24
7.98kr
25-49
7.00kr
50-99
6.52kr
100+
5.64kr
| +1 ekstra varer tilgængelige på lager (leveres inden for 4 timer). Kontakt os for priser og tilgængelighed! | |
| Antal på lager: 73 |
P-kanal transistor IRF7342, SO, SO-8. Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8. Antal terminaler: 8:1. Drænkildespænding: -55V. Effekt: 2W. Funktion: IDM--27Ap. Gate-source spænding: 20V, ±20V. Kanaltype: P. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 2. Oplade: 26nC. Pd (Strømafledning, maks.) ): 2W. Polaritet: unipolar. RoHS: ja. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Termisk modstand: 62.5K/W. Tøm strøm: -3.4A. Ækvivalenter: IRF7342PBF. Originalt produkt fra producenten: International Rectifier. Antal på lager opdateret den 18/12/2025, 19:08
IRF7342
19 parametre
Hus
SO
Hus (i henhold til datablad)
SO-8
Antal terminaler
8:1
Drænkildespænding
-55V
Effekt
2W
Funktion
IDM--27Ap
Gate-source spænding
20V, ±20V
Kanaltype
P
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
2
Oplade
26nC
Pd (Strømafledning, maks.) )
2W
Polaritet
unipolar
RoHS
ja
Teknologi
HEXFET Power MOSFET
Termisk modstand
62.5K/W
Tøm strøm
-3.4A
Ækvivalenter
IRF7342PBF
Originalt produkt fra producenten
International Rectifier