P-kanal transistor, SO8 - IRF7342TRPBF

P-kanal transistor, SO8 - IRF7342TRPBF. P-kanal transistor, SO8. Hus: SO8. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Serie: HEXFET. Polaritet: MOSFET P. Vdss (Dræn til kildespænding): -55V. Id @ Tc=25°C (kontinuerlig drænstrøm): 3.4A. RDS ON (MAX) @ ID, VGS: overflademonteret komponent (SMD) . VGS (th) (max) @ id: 8:1. QG (Total Gate Charge, Max @ VGS): F7342. Port/kildespænding Vgs max: -20V. Pd (Strømafledning, maks.) ): 2W. Driftstemperatur: 0.105 Ohms @ -3.4A. Monteringstype: SMD. Funktioner: 64 ns. Information: 690pF. MSL: 1. Originalt produkt fra producenten Infineon. Antal på lager opdateret den 25/07/2025, 04:25.