P-kanal transistor IRF7416, 10A, 25uA, SO, SO-8, 30 v

P-kanal transistor IRF7416, 10A, 25uA, SO, SO-8, 30 v

Antal
Enhedspris
1-4
8.49kr
5-49
7.02kr
50-99
5.93kr
100+
5.32kr
Antal på lager: 30

P-kanal transistor IRF7416, 10A, 25uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 10A. Idss (maks.): 25uA. Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8. Spænding Vds (maks.): 30 v. Afløbskildebeskyttelse: ja. Antal terminaler: 8:1. C (i): 1700pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Ultra Low On-Resistance. GS-beskyttelse: ingen. ID (T=100°C): 7.1A. IDss (min): 1uA. Id(imp): 45A. Kanaltype: P. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 890pF. On-resistance Rds On: 0.02 Ohms. Pd (Strømafledning, maks.) ): 2.5W. Td(fra): 59 ns. Td(on): 18 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 56 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 2.04V. Vgs (th) min.: 1V. Originalt produkt fra producenten: International Rectifier. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45

Teknisk dokumentation (PDF)
IRF7416
28 parametre
ID (T=25°C)
10A
Idss (maks.)
25uA
Hus
SO
Hus (i henhold til datablad)
SO-8
Spænding Vds (maks.)
30 v
Afløbskildebeskyttelse
ja
Antal terminaler
8:1
C (i)
1700pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
Ultra Low On-Resistance
GS-beskyttelse
ingen
ID (T=100°C)
7.1A
IDss (min)
1uA
Id(imp)
45A
Kanaltype
P
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
890pF
On-resistance Rds On
0.02 Ohms
Pd (Strømafledning, maks.) )
2.5W
Td(fra)
59 ns
Td(on)
18 ns
Teknologi
HEXFET Power MOSFET
Trr-diode (min.)
56 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
2.04V
Vgs (th) min.
1V
Originalt produkt fra producenten
International Rectifier