P-kanal transistor IRF9310, 20A, 150uA, SO, SO-8, 30 v

P-kanal transistor IRF9310, 20A, 150uA, SO, SO-8, 30 v

Antal
Enhedspris
1-4
12.56kr
5-24
11.15kr
25-49
10.40kr
50-94
9.08kr
95+
7.72kr
Antal på lager: 59

P-kanal transistor IRF9310, 20A, 150uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 20A. Idss (maks.): 150uA. Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8. Spænding Vds (maks.): 30 v. Afløbskildebeskyttelse: ingen. Antal terminaler: 8:1. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: bærbare switch-kredsløb. GS-beskyttelse: ja. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. ID (T=100°C): 7.1A. IDss (min): 1uA. Id(imp): 160A. Kanaltype: P. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. On-resistance Rds On: 0.039 Ohms. Pd (Strømafledning, maks.) ): 2.5W. Td(fra): 65 ns. Td(on): 25 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET transistor. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 2.4V. Vgs (th) min.: 1.3V. Originalt produkt fra producenten: International Rectifier. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45

Teknisk dokumentation (PDF)
IRF9310
26 parametre
ID (T=25°C)
20A
Idss (maks.)
150uA
Hus
SO
Hus (i henhold til datablad)
SO-8
Spænding Vds (maks.)
30 v
Afløbskildebeskyttelse
ingen
Antal terminaler
8:1
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
bærbare switch-kredsløb
GS-beskyttelse
ja
Gate / kilde spænding Vgs
20V
ID (T=100°C)
7.1A
IDss (min)
1uA
Id(imp)
160A
Kanaltype
P
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
1
On-resistance Rds On
0.039 Ohms
Pd (Strømafledning, maks.) )
2.5W
Td(fra)
65 ns
Td(on)
25 ns
Teknologi
HEXFET Power MOSFET transistor
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
2.4V
Vgs (th) min.
1.3V
Originalt produkt fra producenten
International Rectifier