P-kanal transistor IRF9520N, 6.8A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 100V

P-kanal transistor IRF9520N, 6.8A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 100V

Antal
Enhedspris
1-4
9.74kr
5-24
8.25kr
25-49
7.18kr
50-99
6.69kr
100+
5.94kr
Antal på lager: 263

P-kanal transistor IRF9520N, 6.8A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=25°C): 6.8A. Idss (maks.): 250uA. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Spænding Vds (maks.): 100V. Afløbskildebeskyttelse: ja. C (i): 350pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: P-kanal MOSFET transistor. GS-beskyttelse: ingen. ID (T=100°C): 4.1A. IDss (min): 25uA. Id(imp): 27A. Kanaltype: P. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 110pF. On-resistance Rds On: 0.48 Ohms. Pd (Strømafledning, maks.) ): 48W. RoHS: ja. Td(fra): 28 ns. Td(on): 14 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 100 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Originalt produkt fra producenten: International Rectifier. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45

Teknisk dokumentation (PDF)
IRF9520N
28 parametre
ID (T=25°C)
6.8A
Idss (maks.)
250uA
Hus
TO-220
Hus (i henhold til datablad)
TO-220AB
Spænding Vds (maks.)
100V
Afløbskildebeskyttelse
ja
C (i)
350pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Funktion
P-kanal MOSFET transistor
GS-beskyttelse
ingen
ID (T=100°C)
4.1A
IDss (min)
25uA
Id(imp)
27A
Kanaltype
P
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
110pF
On-resistance Rds On
0.48 Ohms
Pd (Strømafledning, maks.) )
48W
RoHS
ja
Td(fra)
28 ns
Td(on)
14 ns
Teknologi
HEXFET Power MOSFET
Trr-diode (min.)
100 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
4 v
Vgs (th) min.
2V
Originalt produkt fra producenten
International Rectifier