P-kanal transistor IRF9520PBF, TO-220AB, -100V. Hus: TO-220AB. Hus (JEDEC-standard): -. Drain-source spænding Uds [V]: -100V. Antal terminaler: 3. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 390pF. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.48 Ohms @ -4A. Drænkildespænding: -100V. Effekt: 60W. Funktioner: -. Gate-source spænding: ±20V. Id @ Tc=25°C (kontinuerlig drænstrøm): 6A. Indkoblingstid ton [nsec.]: 9.6 ns. Information: -. Komponentfamilie: MOSFET, P-MOS. Konditionering: tubus. Konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort. Kør spænding: 10V. MSL: -. Maksimal dissipation Ptot [W]: 48W. Max temperatur: +175°C.. Montering / installation: THT. Monteringstype: THT. On-state modstand: 0.6 Ohms. Oplade: 18nC. Pd (Strømafledning, maks.) ): 40W. Polaritet: unipolar. Port/kildespænding Vgs max: -20V. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: -4V. Producentens mærkning: IRF9520PBF. RoHS: ja. Serie: -. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 21 ns. Type transistor: P-MOSFET. Tøm nuværende ID (A) @ 25 ° C: -6.8A. Tøm strøm: -4.8A. Vdss (Dræn til kildespænding): -100V. Originalt produkt fra producenten: Vishay (ir). Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45