P-kanal transistor IRF9530N, 14A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 100V

P-kanal transistor IRF9530N, 14A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 100V

Antal
Enhedspris
1-4
11.29kr
5-24
9.72kr
25-49
8.52kr
50-99
7.57kr
100+
6.27kr
Antal på lager: 45

P-kanal transistor IRF9530N, 14A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=25°C): 14A. Idss (maks.): 250uA. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Spænding Vds (maks.): 100V. Afløbskildebeskyttelse: zener diode. Antal terminaler: 3. C (i): 760pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: Højhastighedsskift. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. ID (T=100°C): 10A. IDss (min): 25uA. Id(imp): 56A. Kanaltype: P. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 260pF. On-resistance Rds On: 0.20 Ohms. Pd (Strømafledning, maks.) ): 79W. RoHS: ja. Td(fra): 45 ns. Td(on): 15 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 130 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Originalt produkt fra producenten: International Rectifier. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45

Teknisk dokumentation (PDF)
IRF9530N
30 parametre
ID (T=25°C)
14A
Idss (maks.)
250uA
Hus
TO-220
Hus (i henhold til datablad)
TO-220AB
Spænding Vds (maks.)
100V
Afløbskildebeskyttelse
zener diode
Antal terminaler
3
C (i)
760pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Funktion
Højhastighedsskift
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
20V
ID (T=100°C)
10A
IDss (min)
25uA
Id(imp)
56A
Kanaltype
P
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
260pF
On-resistance Rds On
0.20 Ohms
Pd (Strømafledning, maks.) )
79W
RoHS
ja
Td(fra)
45 ns
Td(on)
15 ns
Teknologi
HEXFET Power MOSFET
Trr-diode (min.)
130 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
4 v
Vgs (th) min.
2V
Originalt produkt fra producenten
International Rectifier