P-kanal transistor IRF9640, TO-220, 11A, 500uA, TO-220AB, 200V

P-kanal transistor IRF9640, TO-220, 11A, 500uA, TO-220AB, 200V

Antal
Enhedspris
1-4
12.64kr
5-24
10.48kr
25-49
9.74kr
50-99
8.56kr
100+
7.06kr
+25 ekstra varer tilgængelige på lager (leveres inden for 4 timer). Kontakt os for priser og tilgængelighed!
Antal på lager: 108

P-kanal transistor IRF9640, TO-220, 11A, 500uA, TO-220AB, 200V. Hus: TO-220. ID (T=25°C): 11A. Idss (maks.): 500uA. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Spænding Vds (maks.): 200V. Afløbskildebeskyttelse: ja. C (i): 1200pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Drænkildespænding: -200V. Effekt: 125W. Funktion: Højhastighedsskift. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Gate-source spænding: ±20V. ID (T=100°C): 6.6A. IDss (min): 100uA. Id(imp): 44A. Kanaltype: P. Konditionering: tubus. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 370pF. On-resistance Rds On: 0.3 Ohms. On-state modstand: 0.5 Ohms. Oplade: 44nC. Pd (Strømafledning, maks.) ): 125W. Polaritet: unipolar. RoHS: ja. Td(fra): 39 ns. Td(on): 14 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 250 ns. Type transistor: MOSFET. Tøm strøm: -11A, -6.8A. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Originalt produkt fra producenten: International Rectifier. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45

Teknisk dokumentation (PDF)
IRF9640
37 parametre
Hus
TO-220
ID (T=25°C)
11A
Idss (maks.)
500uA
Hus (i henhold til datablad)
TO-220AB
Spænding Vds (maks.)
200V
Afløbskildebeskyttelse
ja
C (i)
1200pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Drænkildespænding
-200V
Effekt
125W
Funktion
Højhastighedsskift
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
20V
Gate-source spænding
±20V
ID (T=100°C)
6.6A
IDss (min)
100uA
Id(imp)
44A
Kanaltype
P
Konditionering
tubus
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
370pF
On-resistance Rds On
0.3 Ohms
On-state modstand
0.5 Ohms
Oplade
44nC
Pd (Strømafledning, maks.) )
125W
Polaritet
unipolar
RoHS
ja
Td(fra)
39 ns
Td(on)
14 ns
Teknologi
HEXFET Power MOSFET
Trr-diode (min.)
250 ns
Type transistor
MOSFET
Tøm strøm
-11A, -6.8A
Vgs (th) maks.
4 v
Vgs (th) min.
2V
Originalt produkt fra producenten
International Rectifier