P-kanal transistor IRF9953, SO8
Antal
Enhedspris
1-4
31.24kr
5-9
20.59kr
10-19
19.06kr
20-49
18.12kr
50+
17.29kr
| Antal på lager: 1 |
P-kanal transistor IRF9953, SO8. Hus: SO8. Drænkildespænding: -30V. Effekt: 2W. Gate-source spænding: 20V. Montering / installation: SMD. Oplade: 6.1nC. Polaritet: unipolar. RoHS: ja. Termisk modstand: 62.5K/W. Tøm strøm: -2.3A. Originalt produkt fra producenten: Infineon (irf). Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45
IRF9953
11 parametre
Hus
SO8
Drænkildespænding
-30V
Effekt
2W
Gate-source spænding
20V
Montering / installation
SMD
Oplade
6.1nC
Polaritet
unipolar
RoHS
ja
Termisk modstand
62.5K/W
Tøm strøm
-2.3A
Originalt produkt fra producenten
Infineon (irf)