P-kanal transistor IRF9Z24NPBF, 12A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=25°C): 12A. Idss (maks.): 250uA. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Spænding Vds (maks.): 55V. Afløbskildebeskyttelse: ja. Antal terminaler: 3. C (i): 350pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: Højhastighedsskift. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. ID (T=100°C): 8.5A. IDss (min): 25uA. Id(imp): 48A. Kanaltype: P. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 170pF. On-resistance Rds On: 0.175 Ohms. Pd (Strømafledning, maks.) ): 45W. RoHS: ja. Td(fra): 23 ns. Td(on): 13 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 47 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Originalt produkt fra producenten: Infineon Technologies. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45