P-kanal transistor IRF9Z34NS, D2PAK ( TO-263 ), 19A, 250uA, D2PAK ( TO-263 ), 55V

P-kanal transistor IRF9Z34NS, D2PAK ( TO-263 ), 19A, 250uA, D2PAK ( TO-263 ), 55V

Antal
Enhedspris
1-4
10.76kr
5-24
9.40kr
25-49
8.25kr
50-99
7.31kr
100+
6.05kr
+1 ekstra varer tilgængelige på lager (leveres inden for 4 timer). Kontakt os for priser og tilgængelighed!
Antal på lager: 606

P-kanal transistor IRF9Z34NS, D2PAK ( TO-263 ), 19A, 250uA, D2PAK ( TO-263 ), 55V. Hus: D2PAK ( TO-263 ). ID (T=25°C): 19A. Idss (maks.): 250uA. Hus (i henhold til datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spænding Vds (maks.): 55V. Afløbskildebeskyttelse: ja. Antal terminaler: 3. Boliger termisk modstand: 2.2K/W. C (i): 620pF. Drænkildespænding: -55V. Effekt: 68W. Funktion: P-kanal MOSFET transistor. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Gate-source spænding: 20V, ±20V. ID (T=100°C): 14A. IDss (min): 25uA. Id(imp): 68A. Kanaltype: P. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 280pF. On-resistance Rds On: 0.10 Ohms. On-state modstand: 100M Ohms. Oplade: 23.3nC. Pd (Strømafledning, maks.) ): 68W. Polaritet: unipolar. RoHS: ja. Td(fra): 30 ns. Td(on): 13 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 54ms. Type transistor: MOSFET. Tøm strøm: -19A. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Originalt produkt fra producenten: International Rectifier. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45

Teknisk dokumentation (PDF)
IRF9Z34NS
37 parametre
Hus
D2PAK ( TO-263 )
ID (T=25°C)
19A
Idss (maks.)
250uA
Hus (i henhold til datablad)
D2PAK ( TO-263 )
Spænding Vds (maks.)
55V
Afløbskildebeskyttelse
ja
Antal terminaler
3
Boliger termisk modstand
2.2K/W
C (i)
620pF
Drænkildespænding
-55V
Effekt
68W
Funktion
P-kanal MOSFET transistor
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
20V
Gate-source spænding
20V, ±20V
ID (T=100°C)
14A
IDss (min)
25uA
Id(imp)
68A
Kanaltype
P
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
280pF
On-resistance Rds On
0.10 Ohms
On-state modstand
100M Ohms
Oplade
23.3nC
Pd (Strømafledning, maks.) )
68W
Polaritet
unipolar
RoHS
ja
Td(fra)
30 ns
Td(on)
13 ns
Teknologi
HEXFET Power MOSFET
Trr-diode (min.)
54ms
Type transistor
MOSFET
Tøm strøm
-19A
Vgs (th) maks.
4 v
Vgs (th) min.
2V
Originalt produkt fra producenten
International Rectifier