P-kanal transistor IRFD9024, 1.8A, 500uA, DIP, DH-1 house, DIP-4, 60V. ID (T=25°C): 1.8A. Idss (maks.): 500uA. Hus: DIP. Hus (i henhold til datablad): DH-1 house, DIP-4. Spænding Vds (maks.): 60V. Afløbskildebeskyttelse: zener diode. Antal terminaler: 4. C (i): 570pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: Højhastighedsskift. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. ID (T=100°C): 1.1A. IDss (min): 100uA. Id(imp): 13A. Kanaltype: P. Konditionering: plastrør. Konditioneringsenhed: 100dB. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 360pF. On-resistance Rds On: 0.28 Ohms. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1.3W. RoHS: ja. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Td(fra): 15 ns. Td(on): 13 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 100 ns. Type transistor: FET. Vgs (th) min.: 2V. Originalt produkt fra producenten: International Rectifier. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45