P-kanal transistor IRFD9220, DIP, 0.56A, 0.56A, DH-1 house, DIP-4, 200V

P-kanal transistor IRFD9220, DIP, 0.56A, 0.56A, DH-1 house, DIP-4, 200V

Antal
Enhedspris
1-4
8.96kr
5-24
7.40kr
25-49
6.25kr
50+
5.65kr
+25 ekstra varer tilgængelige på lager (leveres inden for 4 timer). Kontakt os for priser og tilgængelighed!
Antal på lager: 26

P-kanal transistor IRFD9220, DIP, 0.56A, 0.56A, DH-1 house, DIP-4, 200V. Hus: DIP. ID (T=25°C): 0.56A. Idss (maks.): 0.56A. Hus (i henhold til datablad): DH-1 house, DIP-4. Spænding Vds (maks.): 200V. Antal terminaler: 4. Drænkildespænding: -200V. Effekt: 1W. Funktion: P-kanal MOSFET transistor. Gate-source spænding: ±20V. ID (T=100°C): 0.34A. Kanaltype: P. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. On-resistance Rds On: 1.5 Ohms. Oplade: 15nC. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1W. Polaritet: unipolar. Producentens mærkning: IRFD9220PBF. RoHS: ja. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Type transistor: P-MOSFET. Tøm strøm: -600mA, -0.36A. Originalt produkt fra producenten: International Rectifier. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45

Teknisk dokumentation (PDF)
IRFD9220
24 parametre
Hus
DIP
ID (T=25°C)
0.56A
Idss (maks.)
0.56A
Hus (i henhold til datablad)
DH-1 house, DIP-4
Spænding Vds (maks.)
200V
Antal terminaler
4
Drænkildespænding
-200V
Effekt
1W
Funktion
P-kanal MOSFET transistor
Gate-source spænding
±20V
ID (T=100°C)
0.34A
Kanaltype
P
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
On-resistance Rds On
1.5 Ohms
Oplade
15nC
Pd (Strømafledning, maks.) )
1W
Polaritet
unipolar
Producentens mærkning
IRFD9220PBF
RoHS
ja
Teknologi
HEXFET Power MOSFET
Type transistor
P-MOSFET
Tøm strøm
-600mA, -0.36A
Originalt produkt fra producenten
International Rectifier