P-kanal transistor IRFL9110, 1.1A, 500uA, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 100V

P-kanal transistor IRFL9110, 1.1A, 500uA, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 100V

Antal
Enhedspris
1-4
6.78kr
5-49
5.69kr
50-99
4.79kr
100-199
4.35kr
200+
3.62kr
Antal på lager: 78

P-kanal transistor IRFL9110, 1.1A, 500uA, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 100V. ID (T=25°C): 1.1A. Idss (maks.): 500uA. Hus: SOT-223 ( TO-226 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-223. Spænding Vds (maks.): 100V. Afløbskildebeskyttelse: ja. C (i): 200pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. ID (T=100°C): 0.69A. IDss (min): 100uA. Id(imp): 8.8A. Kanaltype: P. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 94pF. On-resistance Rds On: 1.2 Ohms. Pd (Strømafledning, maks.) ): 3.1W. RoHS: ja. Td(fra): 15 ns. Td(on): 10 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 80 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Originalt produkt fra producenten: Vishay. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45

Teknisk dokumentation (PDF)
IRFL9110
28 parametre
ID (T=25°C)
1.1A
Idss (maks.)
500uA
Hus
SOT-223 ( TO-226 )
Hus (i henhold til datablad)
SOT-223
Spænding Vds (maks.)
100V
Afløbskildebeskyttelse
ja
C (i)
200pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
20V
ID (T=100°C)
0.69A
IDss (min)
100uA
Id(imp)
8.8A
Kanaltype
P
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
94pF
On-resistance Rds On
1.2 Ohms
Pd (Strømafledning, maks.) )
3.1W
RoHS
ja
Td(fra)
15 ns
Td(on)
10 ns
Teknologi
HEXFET Power MOSFET
Trr-diode (min.)
80 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
4 v
Vgs (th) min.
2V
Originalt produkt fra producenten
Vishay