P-kanal transistor IRFR5305, 31A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V

P-kanal transistor IRFR5305, 31A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V

Antal
Enhedspris
1-4
9.21kr
5-24
7.70kr
25-49
6.65kr
50+
5.69kr
+10 ekstra varer tilgængelige på lager (leveres inden for 4 timer). Kontakt os for priser og tilgængelighed!
Antal på lager: 149

P-kanal transistor IRFR5305, 31A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. ID (T=25°C): 31A. Idss (maks.): 250uA. Hus: D-PAK ( TO-252 ). Hus (i henhold til datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spænding Vds (maks.): 55V. Afløbskildebeskyttelse: zener diode. Antal terminaler: 2. C (i): 1200pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: Højhastighedsskift. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. ID (T=100°C): 22A. IDss (min): 25uA. Id(imp): 110A. Kanaltype: P. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: IRFR5305. Omkostninger): 520pF. On-resistance Rds On: 0.065 Ohms. Pd (Strømafledning, maks.) ): 110W. RoHS: ja. Td(fra): 39 ns. Td(on): 14 ns. Teknologi: HEXFET ® Power MOSFET. Trr-diode (min.): 71ms. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Originalt produkt fra producenten: International Rectifier. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45

Teknisk dokumentation (PDF)
IRFR5305
31 parametre
ID (T=25°C)
31A
Idss (maks.)
250uA
Hus
D-PAK ( TO-252 )
Hus (i henhold til datablad)
TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 )
Spænding Vds (maks.)
55V
Afløbskildebeskyttelse
zener diode
Antal terminaler
2
C (i)
1200pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Funktion
Højhastighedsskift
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
20V
ID (T=100°C)
22A
IDss (min)
25uA
Id(imp)
110A
Kanaltype
P
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
1
Mærkning på kabinettet
IRFR5305
Omkostninger)
520pF
On-resistance Rds On
0.065 Ohms
Pd (Strømafledning, maks.) )
110W
RoHS
ja
Td(fra)
39 ns
Td(on)
14 ns
Teknologi
HEXFET ® Power MOSFET
Trr-diode (min.)
71ms
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
4 v
Vgs (th) min.
2V
Originalt produkt fra producenten
International Rectifier