P-kanal transistor IRFR5305PBF, TO252AA, DPAK
Antal
Enhedspris
1-4
15.54kr
5-9
9.71kr
10-19
8.53kr
20-49
7.89kr
50+
7.40kr
| Antal på lager: 20 |
P-kanal transistor IRFR5305PBF, TO252AA, DPAK. Hus: TO252AA, DPAK. Boliger termisk modstand: 1.4K/W. Drænkildespænding: -55V. Effekt: 89W. Gate-source spænding: 20V, ±20V. Montering / installation: SMD. Oplade: 42nC. Polaritet: unipolar. RoHS: ja. Teknologi: HEXFET®. Type transistor: P-MOSFET, HEXFET. Tøm strøm: -31A. Originalt produkt fra producenten: International Rectifier. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45
IRFR5305PBF
13 parametre
Hus
TO252AA, DPAK
Boliger termisk modstand
1.4K/W
Drænkildespænding
-55V
Effekt
89W
Gate-source spænding
20V, ±20V
Montering / installation
SMD
Oplade
42nC
Polaritet
unipolar
RoHS
ja
Teknologi
HEXFET®
Type transistor
P-MOSFET, HEXFET
Tøm strøm
-31A
Originalt produkt fra producenten
International Rectifier