P-kanal transistor IRFR5505, 18A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), D-PAK TO-252AA, 55V

P-kanal transistor IRFR5505, 18A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), D-PAK TO-252AA, 55V

Antal
Enhedspris
1-4
7.91kr
5-24
6.54kr
25-49
5.70kr
50-99
5.14kr
100+
4.44kr
Antal på lager: 91

P-kanal transistor IRFR5505, 18A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), D-PAK TO-252AA, 55V. ID (T=25°C): 18A. Idss (maks.): 250uA. Hus: D-PAK ( TO-252 ). Hus (i henhold til datablad): D-PAK TO-252AA. Spænding Vds (maks.): 55V. Afløbskildebeskyttelse: ja. C (i): 650pF. Funktion: Højhastighedsskift. GS-beskyttelse: ingen. ID (T=100°C): 11A. IDss (min): 25uA. Id(imp): 64A. Kanaltype: P. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 270pF. On-resistance Rds On: 0.11 Ohms. Pd (Strømafledning, maks.) ): 57W. RoHS: ja. Td(fra): 20 ns. Td(on): 12 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Ækvivalenter: IRFR5505TRLPBF, IRFR5505TRPBF. Originalt produkt fra producenten: International Rectifier. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45

Teknisk dokumentation (PDF)
IRFR5505
27 parametre
ID (T=25°C)
18A
Idss (maks.)
250uA
Hus
D-PAK ( TO-252 )
Hus (i henhold til datablad)
D-PAK TO-252AA
Spænding Vds (maks.)
55V
Afløbskildebeskyttelse
ja
C (i)
650pF
Funktion
Højhastighedsskift
GS-beskyttelse
ingen
ID (T=100°C)
11A
IDss (min)
25uA
Id(imp)
64A
Kanaltype
P
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
270pF
On-resistance Rds On
0.11 Ohms
Pd (Strømafledning, maks.) )
57W
RoHS
ja
Td(fra)
20 ns
Td(on)
12 ns
Teknologi
HEXFET Power MOSFET
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
4 v
Vgs (th) min.
2V
Ækvivalenter
IRFR5505TRLPBF, IRFR5505TRPBF
Originalt produkt fra producenten
International Rectifier