P-kanal transistor IRFR9014, 5.1A, 500uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V

P-kanal transistor IRFR9014, 5.1A, 500uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V

Antal
Enhedspris
1-4
7.83kr
5-24
6.47kr
25-49
5.46kr
50+
4.94kr
Antal på lager: 35

P-kanal transistor IRFR9014, 5.1A, 500uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. ID (T=25°C): 5.1A. Idss (maks.): 500uA. Hus: D-PAK ( TO-252 ). Hus (i henhold til datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spænding Vds (maks.): 60V. Afløbskildebeskyttelse: zener diode. Antal terminaler: 2. C (i): 270pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Højhastighedsskift. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. ID (T=100°C): 3.2A. IDss (min): 100uA. Id(imp): 20A. Kanaltype: P. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 170pF. On-resistance Rds On: 0.50 Ohms. Pd (Strømafledning, maks.) ): 25W. RoHS: ja. Td(fra): 9.6 ns. Td(on): 11 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 80 ns. Type transistor: FET. Vgs (th) min.: 2V. Originalt produkt fra producenten: Vishay. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45

Teknisk dokumentation (PDF)
IRFR9014
29 parametre
ID (T=25°C)
5.1A
Idss (maks.)
500uA
Hus
D-PAK ( TO-252 )
Hus (i henhold til datablad)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Spænding Vds (maks.)
60V
Afløbskildebeskyttelse
zener diode
Antal terminaler
2
C (i)
270pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
Højhastighedsskift
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
20V
ID (T=100°C)
3.2A
IDss (min)
100uA
Id(imp)
20A
Kanaltype
P
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
170pF
On-resistance Rds On
0.50 Ohms
Pd (Strømafledning, maks.) )
25W
RoHS
ja
Td(fra)
9.6 ns
Td(on)
11 ns
Teknologi
HEXFET Power MOSFET
Trr-diode (min.)
80 ns
Type transistor
FET
Vgs (th) min.
2V
Originalt produkt fra producenten
Vishay