Antal | ekskl. moms | moms inkl. |
---|---|---|
1 - 4 | 7.84kr | 9.80kr |
5 - 9 | 7.45kr | 9.31kr |
10 - 24 | 7.22kr | 9.03kr |
25 - 49 | 7.06kr | 8.83kr |
50 - 99 | 6.90kr | 8.63kr |
100 - 213 | 6.11kr | 7.64kr |
Antal | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 7.84kr | 9.80kr |
5 - 9 | 7.45kr | 9.31kr |
10 - 24 | 7.22kr | 9.03kr |
25 - 49 | 7.06kr | 8.83kr |
50 - 99 | 6.90kr | 8.63kr |
100 - 213 | 6.11kr | 7.64kr |
P-kanal transistor, 11A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V - IRFR9024N. P-kanal transistor, 11A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. ID (T=25°C): 11A. Idss (maks.): 250uA. Hus: D-PAK ( TO-252 ). Hus (i henhold til datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spænding Vds (maks.): 55V. C (i): 350pF. Omkostninger): 170pF. Kanaltype: P. Afløbskildebeskyttelse: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 47 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Højhastighedsskift. GS-beskyttelse: NINCS. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 8A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 38W. On-resistance Rds On: 0.175 Ohms. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 23 ns. Td(on): 13 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Originalt produkt fra producenten Infineon (irf). Antal på lager opdateret den 08/06/2025, 06:25.
Information og teknisk hjælp
Betaling og levering
Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!
Alle rettigheder forbeholdes, RPtronics, 2024.