P-kanal transistor IRFR9024N, D-PAK ( TO-252 ), 11A, 250uA, TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V

P-kanal transistor IRFR9024N, D-PAK ( TO-252 ), 11A, 250uA, TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V

Antal
Enhedspris
1-4
8.18kr
5-24
6.93kr
25-49
6.11kr
50-99
5.35kr
100+
4.49kr
+50 ekstra varer tilgængelige på lager (leveres inden for 4 timer). Kontakt os for priser og tilgængelighed!
Ækvivalens tilgængelig
Antal på lager: 211

P-kanal transistor IRFR9024N, D-PAK ( TO-252 ), 11A, 250uA, TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. Hus: D-PAK ( TO-252 ). ID (T=25°C): 11A. Idss (maks.): 250uA. Hus (i henhold til datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spænding Vds (maks.): 55V. Afløbskildebeskyttelse: ja. Antal terminaler: 3. Boliger termisk modstand: 3.3K/W. C (i): 350pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Drænkildespænding: -55V. Effekt: 38W. Funktion: Højhastighedsskift. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Gate-source spænding: 20V. ID (T=100°C): 8A. IDss (min): 25uA. Id(imp): 44A. Kanaltype: P. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 170pF. On-resistance Rds On: 0.175 Ohms. Oplade: 12.7nC. Pd (Strømafledning, maks.) ): 38W. Polaritet: unipolar. RoHS: ja. Td(fra): 23 ns. Td(on): 13 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 47 ns. Type transistor: MOSFET. Tøm strøm: -11A. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Originalt produkt fra producenten: International Rectifier. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45

Teknisk dokumentation (PDF)
IRFR9024N
37 parametre
Hus
D-PAK ( TO-252 )
ID (T=25°C)
11A
Idss (maks.)
250uA
Hus (i henhold til datablad)
TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 )
Spænding Vds (maks.)
55V
Afløbskildebeskyttelse
ja
Antal terminaler
3
Boliger termisk modstand
3.3K/W
C (i)
350pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Drænkildespænding
-55V
Effekt
38W
Funktion
Højhastighedsskift
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
20V
Gate-source spænding
20V
ID (T=100°C)
8A
IDss (min)
25uA
Id(imp)
44A
Kanaltype
P
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
170pF
On-resistance Rds On
0.175 Ohms
Oplade
12.7nC
Pd (Strømafledning, maks.) )
38W
Polaritet
unipolar
RoHS
ja
Td(fra)
23 ns
Td(on)
13 ns
Teknologi
HEXFET Power MOSFET
Trr-diode (min.)
47 ns
Type transistor
MOSFET
Tøm strøm
-11A
Vgs (th) maks.
4 v
Vgs (th) min.
2V
Originalt produkt fra producenten
International Rectifier

Tilsvarende produkter og/eller tilbehør til IRFR9024N