P-kanal transistor IRFR9120N, 6.6A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V

P-kanal transistor IRFR9120N, 6.6A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V

Antal
Enhedspris
1-4
8.79kr
5-24
7.48kr
25-49
6.60kr
50-99
5.99kr
100+
5.10kr
Antal på lager: 107

P-kanal transistor IRFR9120N, 6.6A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V. ID (T=25°C): 6.6A. Idss (maks.): 250uA. Hus: D-PAK ( TO-252 ). Hus (i henhold til datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spænding Vds (maks.): 100V. Afløbskildebeskyttelse: ja. Antal terminaler: 2. C (i): 350pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Højhastighedsskift. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. ID (T=100°C): 4.2A. IDss (min): 25uA. Id(imp): 26A. Kanaltype: P. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 110pF. On-resistance Rds On: 0.48 Ohms. Pd (Strømafledning, maks.) ): 40W. RoHS: ja. Td(fra): 28 ns. Td(on): 14 ns. Teknologi: HEXFET® Power MOSFET. Trr-diode (min.): 100 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Originalt produkt fra producenten: International Rectifier. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45

Teknisk dokumentation (PDF)
IRFR9120N
30 parametre
ID (T=25°C)
6.6A
Idss (maks.)
250uA
Hus
D-PAK ( TO-252 )
Hus (i henhold til datablad)
TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 )
Spænding Vds (maks.)
100V
Afløbskildebeskyttelse
ja
Antal terminaler
2
C (i)
350pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
Højhastighedsskift
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
20V
ID (T=100°C)
4.2A
IDss (min)
25uA
Id(imp)
26A
Kanaltype
P
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
110pF
On-resistance Rds On
0.48 Ohms
Pd (Strømafledning, maks.) )
40W
RoHS
ja
Td(fra)
28 ns
Td(on)
14 ns
Teknologi
HEXFET® Power MOSFET
Trr-diode (min.)
100 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
4 v
Vgs (th) min.
2V
Originalt produkt fra producenten
International Rectifier