P-kanal transistor IRLML6302, SOT23
Antal
Enhedspris
1-4
12.25kr
5-9
7.65kr
10-19
6.57kr
20-49
6.03kr
50+
5.59kr
| Antal på lager: 50 |
P-kanal transistor IRLML6302, SOT23. Hus: SOT23. Drænkildespænding: -20V. Effekt: 0.54W. Egenskaber af halvleder: Logisk niveau. Gate-source spænding: 12V, ±12V. Montering / installation: SMD. Oplade: 2.4nC. Polaritet: unipolar. RoHS: ja. Teknologi: HEXFET®. Termisk modstand: 230K/W. Tøm strøm: -620mA, -0.62A. Originalt produkt fra producenten: Infineon (irf). Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45
IRLML6302
13 parametre
Hus
SOT23
Drænkildespænding
-20V
Effekt
0.54W
Egenskaber af halvleder
Logisk niveau
Gate-source spænding
12V, ±12V
Montering / installation
SMD
Oplade
2.4nC
Polaritet
unipolar
RoHS
ja
Teknologi
HEXFET®
Termisk modstand
230K/W
Tøm strøm
-620mA, -0.62A
Originalt produkt fra producenten
Infineon (irf)