P-kanal transistor IRLML6402, 3.7A, 25uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 20V

P-kanal transistor IRLML6402, 3.7A, 25uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 20V

Antal
Enhedspris
1-4
2.64kr
5-49
2.21kr
50-99
1.90kr
100-199
1.64kr
200+
1.32kr
Antal på lager: 275

P-kanal transistor IRLML6402, 3.7A, 25uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 20V. ID (T=25°C): 3.7A. Idss (maks.): 25uA. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ). Spænding Vds (maks.): 20V. Afløbskildebeskyttelse: ja. Antal terminaler: 3. C (i): 633pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Ultra Low On-Resistance. GS-beskyttelse: ingen. ID (T=100°C): 2.2A. IDss (min): 1uA. Id(imp): 22A. Kanaltype: P. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 145pF. On-resistance Rds On: 0.05 Ohms. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1.3W. Td(fra): 588 ns. Td(on): 350 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 1.2V. Vgs (th) min.: 0.4V. Originalt produkt fra producenten: International Rectifier. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45

Teknisk dokumentation (PDF)
IRLML6402
27 parametre
ID (T=25°C)
3.7A
Idss (maks.)
25uA
Hus
SOT-23 ( TO-236 )
Hus (i henhold til datablad)
SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 )
Spænding Vds (maks.)
20V
Afløbskildebeskyttelse
ja
Antal terminaler
3
C (i)
633pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
Ultra Low On-Resistance
GS-beskyttelse
ingen
ID (T=100°C)
2.2A
IDss (min)
1uA
Id(imp)
22A
Kanaltype
P
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
145pF
On-resistance Rds On
0.05 Ohms
Pd (Strømafledning, maks.) )
1.3W
Td(fra)
588 ns
Td(on)
350 ns
Teknologi
HEXFET Power MOSFET
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
1.2V
Vgs (th) min.
0.4V
Originalt produkt fra producenten
International Rectifier