P-kanal transistor IXTK90P20P, 90A, 250uA, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 200V

P-kanal transistor IXTK90P20P, 90A, 250uA, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 200V

Antal
Enhedspris
1-4
213.61kr
5-9
203.44kr
10-19
191.40kr
20+
180.47kr
Antal på lager: 22

P-kanal transistor IXTK90P20P, 90A, 250uA, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 200V. ID (T=25°C): 90A. Idss (maks.): 250uA. Hus: TO-264 ( TOP-3L ). Hus (i henhold til datablad): TO-264. Spænding Vds (maks.): 200V. Afløbskildebeskyttelse: diode. Antal terminaler: 3. C (i): 12pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: P-Channel Enhancement Mode. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. ID (T=100°C): -. IDss (min): 50uA. Id(imp): 270A. Kanaltype: P. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 2210pF. On-resistance Rds On: 0.044 Ohms. Pd (Strømafledning, maks.) ): 890W. RoHS: ja. Td(fra): 89 ns. Td(on): 32 ns. Teknologi: PolarPTM Power MOSFET. Trr-diode (min.): 315 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) min.: 2V. Originalt produkt fra producenten: IXYS. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45

Teknisk dokumentation (PDF)
IXTK90P20P
28 parametre
ID (T=25°C)
90A
Idss (maks.)
250uA
Hus
TO-264 ( TOP-3L )
Hus (i henhold til datablad)
TO-264
Spænding Vds (maks.)
200V
Afløbskildebeskyttelse
diode
Antal terminaler
3
C (i)
12pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
P-Channel Enhancement Mode
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
20V
IDss (min)
50uA
Id(imp)
270A
Kanaltype
P
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
2210pF
On-resistance Rds On
0.044 Ohms
Pd (Strømafledning, maks.) )
890W
RoHS
ja
Td(fra)
89 ns
Td(on)
32 ns
Teknologi
PolarPTM Power MOSFET
Trr-diode (min.)
315 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) min.
2V
Originalt produkt fra producenten
IXYS