P-kanal transistor MMBFJ175, 60mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v

P-kanal transistor MMBFJ175, 60mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v

Antal
Enhedspris
1-4
2.72kr
5-49
2.28kr
50-99
1.98kr
100-199
1.80kr
200+
1.55kr
Antal på lager: 188

P-kanal transistor MMBFJ175, 60mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Idss (maks.): 60mA. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO236 ). Spænding Vds (maks.): 30 v. Antal terminaler: 3. Bemærk: serigrafi/SMD-kode 6W. C (i): 11pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. IDss (min): 7mA. IGF: 50mA. Kanaltype: P. Konditionering: rulle. Konditioneringsenhed: 3000. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: 6W. Pd (Strømafledning, maks.) ): 225mW. Port/kildespænding (fra) max.: 6V. Port/kildespænding (fra) min.: 3V. RoHS: ja. Teknologi: P-Channel Switch. Type transistor: JFET. Originalt produkt fra producenten: ON Semiconductor. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45

MMBFJ175
23 parametre
Idss (maks.)
60mA
Hus
SOT-23 ( TO-236 )
Hus (i henhold til datablad)
SOT-23 ( TO236 )
Spænding Vds (maks.)
30 v
Antal terminaler
3
Bemærk
serigrafi/SMD-kode 6W
C (i)
11pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
IDss (min)
7mA
IGF
50mA
Kanaltype
P
Konditionering
rulle
Konditioneringsenhed
3000
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
1
Mærkning på kabinettet
6W
Pd (Strømafledning, maks.) )
225mW
Port/kildespænding (fra) max.
6V
Port/kildespænding (fra) min.
3V
RoHS
ja
Teknologi
P-Channel Switch
Type transistor
JFET
Originalt produkt fra producenten
ON Semiconductor