P-kanal transistor MMBFJ177LT1G, SOT-23, -30V
Antal
Enhedspris
1-99
9.73kr
100+
5.75kr
| Antal på lager: 3054 |
P-kanal transistor MMBFJ177LT1G, SOT-23, -30V. Hus: SOT-23. Hus (JEDEC-standard): -. Drain-source spænding Uds [V]: -30V. Antal terminaler: 3. Drænstrøm Idss [A] @ Ug=0V: -20mA. Gate-source breakpoint spænding Ugss [V] @ Uds=0V: +2.5V @ -15V. Komponentfamilie: P-kanal JFET transistor. Konfiguration: overflademonteret komponent (SMD). Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.225W. Max temperatur: +150°C.. Producentens mærkning: 6Y. RoHS: ja. Originalt produkt fra producenten: Onsemi (fairchild). Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45
MMBFJ177LT1G
12 parametre
Hus
SOT-23
Drain-source spænding Uds [V]
-30V
Antal terminaler
3
Drænstrøm Idss [A] @ Ug=0V
-20mA
Gate-source breakpoint spænding Ugss [V] @ Uds=0V
+2.5V @ -15V
Komponentfamilie
P-kanal JFET transistor
Konfiguration
overflademonteret komponent (SMD)
Maksimal dissipation Ptot [W]
0.225W
Max temperatur
+150°C.
Producentens mærkning
6Y
RoHS
ja
Originalt produkt fra producenten
Onsemi (fairchild)