P-kanal transistor NDS332P, 1A, 10uA, SSOT, SSOT-3 ( SuperSOT-3 ), 20V

P-kanal transistor NDS332P, 1A, 10uA, SSOT, SSOT-3 ( SuperSOT-3 ), 20V

Antal
Enhedspris
1-4
1.94kr
5-49
1.41kr
50-99
1.27kr
100+
1.14kr
+1140 ekstra varer tilgængelige på lager (leveres inden for 4 timer). Kontakt os for priser og tilgængelighed!
Antal på lager: 969

P-kanal transistor NDS332P, 1A, 10uA, SSOT, SSOT-3 ( SuperSOT-3 ), 20V. ID (T=25°C): 1A. Idss (maks.): 10uA. Hus: SSOT. Hus (i henhold til datablad): SSOT-3 ( SuperSOT-3 ). Spænding Vds (maks.): 20V. Afløbskildebeskyttelse: ja. Antal terminaler: 3. C (i): 195pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Logic Level Enhancement Mode. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 8V. IDss (min): 1uA. IGF: 1A. Id(imp): 10A. Kanaltype: P. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 105pF. On-resistance Rds On: 0.35 Ohms. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.5W. RoHS: ja. Td(fra): 25 ns. Td(on): 8 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 1V. Vgs (th) min.: 0.4V. Originalt produkt fra producenten: Fairchild. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45

Teknisk dokumentation (PDF)
NDS332P
28 parametre
ID (T=25°C)
1A
Idss (maks.)
10uA
Hus
SSOT
Hus (i henhold til datablad)
SSOT-3 ( SuperSOT-3 )
Spænding Vds (maks.)
20V
Afløbskildebeskyttelse
ja
Antal terminaler
3
C (i)
195pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
Logic Level Enhancement Mode
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
8V
IDss (min)
1uA
IGF
1A
Id(imp)
10A
Kanaltype
P
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
105pF
On-resistance Rds On
0.35 Ohms
Pd (Strømafledning, maks.) )
0.5W
RoHS
ja
Td(fra)
25 ns
Td(on)
8 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
1V
Vgs (th) min.
0.4V
Originalt produkt fra producenten
Fairchild