P-kanal transistor NTD2955T4, 12A, 100uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V

P-kanal transistor NTD2955T4, 12A, 100uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V

Antal
Enhedspris
1-4
8.04kr
5-49
6.65kr
50-99
5.61kr
100-199
4.93kr
200+
4.36kr
Antal på lager: 192

P-kanal transistor NTD2955T4, 12A, 100uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. ID (T=25°C): 12A. Idss (maks.): 100uA. Hus: D-PAK ( TO-252 ). Hus (i henhold til datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spænding Vds (maks.): 60V. Afløbskildebeskyttelse: zener diode. Antal terminaler: 2. C (i): 500pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: ID pulse 36A/10ms. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. IDss (min): 10uA. Id(imp): 36A. Kanaltype: P. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: NT2955. Omkostninger): 150pF. On-resistance Rds On: 0.155 Ohms. Pd (Strømafledning, maks.) ): 55W. RoHS: ja. Td(fra): 26 ns. Td(on): 10 ns. Teknologi: Power MOSFET. Trr-diode (min.): 50us. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) min.: 2V. Originalt produkt fra producenten: ON Semiconductor. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 22:14

Teknisk dokumentation (PDF)
NTD2955T4
29 parametre
ID (T=25°C)
12A
Idss (maks.)
100uA
Hus
D-PAK ( TO-252 )
Hus (i henhold til datablad)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Spænding Vds (maks.)
60V
Afløbskildebeskyttelse
zener diode
Antal terminaler
2
C (i)
500pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Funktion
ID pulse 36A/10ms
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
20V
IDss (min)
10uA
Id(imp)
36A
Kanaltype
P
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
1
Mærkning på kabinettet
NT2955
Omkostninger)
150pF
On-resistance Rds On
0.155 Ohms
Pd (Strømafledning, maks.) )
55W
RoHS
ja
Td(fra)
26 ns
Td(on)
10 ns
Teknologi
Power MOSFET
Trr-diode (min.)
50us
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) min.
2V
Originalt produkt fra producenten
ON Semiconductor