P-kanal transistor P5504ED, 8A, 10uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V

P-kanal transistor P5504ED, 8A, 10uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V

Antal
Enhedspris
1-4
17.50kr
5-24
15.22kr
25-49
12.85kr
50+
11.29kr
Antal på lager: 751

P-kanal transistor P5504ED, 8A, 10uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V. ID (T=25°C): 8A. Idss (maks.): 10uA. Hus: D-PAK ( TO-252 ). Hus (i henhold til datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spænding Vds (maks.): 40V. Afløbskildebeskyttelse: diode. Antal terminaler: 2. C (i): 690pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Forbedring af logisk niveau. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. ID (T=100°C): 6A. IDss (min): 1uA. Id(imp): 32A. Kanaltype: P. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 310pF. On-resistance Rds On: 0.065 Ohms. Pd (Strømafledning, maks.) ): 28W. RoHS: ja. Td(fra): 19.8 ns. Td(on): 6.7 ns. Teknologi: Felteffekttransistor. Trr-diode (min.): 15.5 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) min.: 1V. Originalt produkt fra producenten: Niko-semi. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 22:14

Teknisk dokumentation (PDF)
P5504ED
29 parametre
ID (T=25°C)
8A
Idss (maks.)
10uA
Hus
D-PAK ( TO-252 )
Hus (i henhold til datablad)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Spænding Vds (maks.)
40V
Afløbskildebeskyttelse
diode
Antal terminaler
2
C (i)
690pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
Forbedring af logisk niveau
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
20V
ID (T=100°C)
6A
IDss (min)
1uA
Id(imp)
32A
Kanaltype
P
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
310pF
On-resistance Rds On
0.065 Ohms
Pd (Strømafledning, maks.) )
28W
RoHS
ja
Td(fra)
19.8 ns
Td(on)
6.7 ns
Teknologi
Felteffekttransistor
Trr-diode (min.)
15.5 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) min.
1V
Originalt produkt fra producenten
Niko-semi