P-kanal transistor SI2307BDS-T1-BE3, SOT-23, -30V

P-kanal transistor SI2307BDS-T1-BE3, SOT-23, -30V

Antal
Enhedspris
1+
18.48kr
Antal på lager: 3000

P-kanal transistor SI2307BDS-T1-BE3, SOT-23, -30V. Hus: SOT-23. Hus (JEDEC-standard): -. Drain-source spænding Uds [V]: -30V. Antal terminaler: 3. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 380pF. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.13 Ohms @ -2.5A. Indkoblingstid ton [nsec.]: 20 ns. Komponentfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: overflademonteret komponent (SMD). Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.75W. Max temperatur: +150°C.. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: -3V. Producentens mærkning: L7. RoHS: ja. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 40 ns. Tøm nuværende ID (A) @ 25 ° C: -2.5A. Originalt produkt fra producenten: Vishay. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45

Teknisk dokumentation (PDF)
SI2307BDS-T1-BE3
16 parametre
Hus
SOT-23
Drain-source spænding Uds [V]
-30V
Antal terminaler
3
Ciss Gate Kapacitans [pF]
380pF
Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.13 Ohms @ -2.5A
Indkoblingstid ton [nsec.]
20 ns
Komponentfamilie
MOSFET, P-MOS
Konfiguration
overflademonteret komponent (SMD)
Maksimal dissipation Ptot [W]
0.75W
Max temperatur
+150°C.
Portnedbrudsspænding Ugs [V]
-3V
Producentens mærkning
L7
RoHS
ja
Slukningsforsinkelse tf[nsec.]
40 ns
Tøm nuværende ID (A) @ 25 ° C
-2.5A
Originalt produkt fra producenten
Vishay