P-kanal transistor SI2333CDS-T1-GE3, SOT-23, -12V
Antal
Enhedspris
1+
9.22kr
| Antal på lager: 2126 |
P-kanal transistor SI2333CDS-T1-GE3, SOT-23, -12V. Hus: SOT-23. Hus (JEDEC-standard): -. Drain-source spænding Uds [V]: -12V. Antal terminaler: 3. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1225pF. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.035 Ohms @ -5.1A. Indkoblingstid ton [nsec.]: 20 ns. Komponentfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: overflademonteret komponent (SMD). Maksimal dissipation Ptot [W]: 2.5W. Max temperatur: +150°C.. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: -1V. Producentens mærkning: 3. RoHS: ja. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 70 ns. Tøm nuværende ID (A) @ 25 ° C: -7.1A. Originalt produkt fra producenten: Vishay. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45
SI2333CDS-T1-GE3
16 parametre
Hus
SOT-23
Drain-source spænding Uds [V]
-12V
Antal terminaler
3
Ciss Gate Kapacitans [pF]
1225pF
Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.035 Ohms @ -5.1A
Indkoblingstid ton [nsec.]
20 ns
Komponentfamilie
MOSFET, P-MOS
Konfiguration
overflademonteret komponent (SMD)
Maksimal dissipation Ptot [W]
2.5W
Max temperatur
+150°C.
Portnedbrudsspænding Ugs [V]
-1V
Producentens mærkning
3
RoHS
ja
Slukningsforsinkelse tf[nsec.]
70 ns
Tøm nuværende ID (A) @ 25 ° C
-7.1A
Originalt produkt fra producenten
Vishay