P-kanal transistor SI3441BD, 2.45A, 5nA, TSOP, TSOP-6, 20V

P-kanal transistor SI3441BD, 2.45A, 5nA, TSOP, TSOP-6, 20V

Antal
Enhedspris
1-4
2.48kr
5-49
1.80kr
50-99
1.49kr
100+
1.34kr
Antal på lager: 2713

P-kanal transistor SI3441BD, 2.45A, 5nA, TSOP, TSOP-6, 20V. ID (T=25°C): 2.45A. Idss (maks.): 5nA. Hus: TSOP. Hus (i henhold til datablad): TSOP-6. Spænding Vds (maks.): 20V. Afløbskildebeskyttelse: ja. Antal terminaler: 6. Driftstemperatur: -55...+150°C. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 8V. ID (T=100°C): 1.95A. IDss (min): 1nA. Id(imp): 16A. Kanaltype: P. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. On-resistance Rds On: 0.07 Ohms. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1nA. RoHS: ja. Td(fra): 30 ns. Td(on): 15 ns. Teknologi: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Trr-diode (min.): 50 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) min.: 0.45V. Originalt produkt fra producenten: Vishay. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45

Teknisk dokumentation (PDF)
SI3441BD
26 parametre
ID (T=25°C)
2.45A
Idss (maks.)
5nA
Hus
TSOP
Hus (i henhold til datablad)
TSOP-6
Spænding Vds (maks.)
20V
Afløbskildebeskyttelse
ja
Antal terminaler
6
Driftstemperatur
-55...+150°C
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
8V
ID (T=100°C)
1.95A
IDss (min)
1nA
Id(imp)
16A
Kanaltype
P
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
1
On-resistance Rds On
0.07 Ohms
Pd (Strømafledning, maks.) )
1nA
RoHS
ja
Td(fra)
30 ns
Td(on)
15 ns
Teknologi
TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET
Trr-diode (min.)
50 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) min.
0.45V
Originalt produkt fra producenten
Vishay